碳化硅单晶炉

  PVT碳化硅SiC单晶炉主要用于6英寸碳化硅SiC单晶材料的生长,碳化硅具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势,是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料,也是目前综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料。


  第三代功率半导体器件已经在智能电网、电动汽车、轨道交通、新能源并网、开关电源、工业电机以及家用电器等领域得到应用,并展现出良好的发展前景。国际领先企业已经开始部署市场,全球新一轮的产业升级已经开始,正在逐渐进入第三代半导体时代。



适合类型:


SiC碳化硅单晶


产品优势

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我们的优势

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快速服务

   

具有十多年的售后服务经验,能在短时间内找到问题并解决,快速的售后零部件发送。

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定制丰富

   

恒普可以根据您的材料,应用领域,使用场景的不同定制专业的烧结炉,也可以在我们标准炉的基础上进行不同配置的选择。

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控制精确

   

具有十多年烧结炉设计经验,对真空,控温和气流的理解非常深刻,并有一整套系统进行测试,达到世界领先的温度控制,气流控制和真空控制。

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尺寸齐全

   

恒普MIM烧结炉品种丰富,种类齐全,涵盖了从实验到量产,再到大批量生产的全部设备,满足了客户不同阶段的需求。